“超分辨率光刻设备项目”可通过国家验收加工22纳米芯片

“超分辨率光刻设备项目”可通过国家验收加工22纳米芯片。

国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”29日通过验收。该掩模对准器由中国科学院光电技术研究所研制，分辨率为22纳米。结合双曝光技术，未来还可以用来制造10纳米的芯片。

中国科学院理化技术研究所徐祖炎院士等检查组专家一致表示，在365 nm的光源波长下，掩模对准器单次曝光的最大线宽分辨率为22 nm。该项目原则上突破了分辨率的衍射极限，确立了高分辨率、大面积纳米光刻设备的新研发路线，绕开了国外知识产权壁垒。

掩模对准器是制造芯片的核心设备，我国在该领域长期落后。它使用类似于照片打印的技术，通过曝光将母版上的精细图形转移到硅片上。一般来说，光刻机的分辨率越高，加工出来的芯片集成度就越高。然而，由于光学衍射效应的影响，传统光刻的分辨率受到很大限制。

为了获得更高的分辨率，传统上通过缩短光波和增加成像系统的数值孔径来改进掩模对准器，但技术难度和设备成本极高。

项目副总设计师胡松介绍，该表面等离子体超分辨率光刻设备通过了中国科学院光电技术研究所的验收测试，打破了传统的路线格局，形成了具有完全自主知识产权的全新纳米光学光刻技术路线，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等革命性领域的跨越式发展提供了制造工具。

据了解，该超分辨率光刻设备制造的相关器件已应用于中国航天科技集团第八研究院、中国电子科技大学、华西医院、中国科学院微系统研究所等多家科研院所和高校的重大科研任务中。

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