您现在的位置是:首页 > 股票 > 正文

今日消息 银河微电:功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术量产

发布时间:2022-12-20 15:01:26来源:

导读 银河微电12月20日在互动平台表示,功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产;IPM模块已完成一款封装的量产,未来将根据市场情况逐步系列...

银河微电12月20日在互动平台表示,功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产;IPM模块已完成一款封装的量产,未来将根据市场情况逐步系列化;DFN0603无框架封装已完成工艺验证,性能指标符合开发目标要求;CSP0603封装已完成技术开发,未来芯片线改扩建时将进行成果转化。

标签:

上一篇
下一篇

最新文章